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NXP Semiconductors
PESD1LIN
LIN-bus ESD protection diode
6. Characteristics
Table 8. Characteristics
T amb = 25 ? C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V RWM
reverse standoff voltage
PESD1LIN (15 V)
PESD1LIN (24 V)
-
-
-
-
15
24
V
V
I RM
reverse leakage current
PESD1LIN (15 V)
PESD1LIN (24 V)
V RWM = 15 V
V RWM = 24 V
-
-
<1
<1
50
50
nA
nA
V BR
breakdown voltage
I R = 5 mA
PESD1LIN (15 V)
PESD1LIN (24 V)
17.1
25.4
18.9
27.8
20.3
30.3
V
V
C d
diode capacitance
V R = 0 V; f = 1 MHz
-
13
17
pF
V CL
clamping voltage
[1]
PESD1LIN (15 V)
PESD1LIN (24 V)
I PP = 1 A
I PP = 5 A
I PP = 1 A
I PP = 3 A
-
-
-
-
-
-
-
-
25
44
40
70
V
V
V
V
r dif
differential resistance
PESD1LIN (15 V)
PESD1LIN (24 V)
I R = 1 mA
I R = 1 mA
-
-
-
-
225
300
?
?
[1]
Non-repetitive current pulse 8/20 ? s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
10 4
P PP
(W)
10 3
10 2
006aaa164
1.2
P PP
P PP(25 ° C)
0.8
0.4
001aaa193
10
1
10
10 2
10 3
t p ( μ s)
10 4
0
0
50
100
150
T j ( ° C)
200
T amb = 25 ? C
Fig 3.
Peak pulse power as a function of exponential
pulse duration; typical values
Fig 4.
Relative variation of peak pulse power as a
function of junction temperature; typical
values
PESD1LIN
Product data sheet
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Rev. 3 — 31 May 2011
? NXP B.V. 2011. All rights reserved.
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